🇷🇺 Штрафы. Разработка микросхем. Участники рынка. Россия

Минпромторг оштрафовал дизайн-центр НИИМА Прогресс почти на 0.5 млрд

Об этом сообщает CNews. Штраф в размере суммы контракта, заключенного в октябре 2017 года, начислен за просрочку освоения серийного производства микросхем.

Это не первый штраф, который начисляют чиновники в адрес НИИМА Прогресс. В том числе, по данному контракту уже был начислен штраф в размере 144,3 млн рублей, утверждает CNews. В 2025 году была информация о начислении штрафа и пеней и за просрочку разработки других изделий.

Удастся ли НИИМА Прогресс продолжать работу в условиях таких начислений? Надеюсь, что да, НИИМА «Прогресс» участвует в государственных программах, это может обеспечить дальнейшую поддержку. Но для того, чтобы можно было бы сделать какие-то обоснованные прогнозы данных явно не хватает – ни о текущем финансовом состоянии компании, ни о планах реструктуризации обязательств. Разве что соображения общего здравого смысла, что вряд ли кому-то нужно обанкротить известного участника рынка с высокими компетенциями в области разработки.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇰🇷 Производство памяти. Производственные мощности. Участники рынка. Корея

SK Hynix инвестирует $15 млрд в новый кластер по производству чипов для ИИ

Южнокорейский гигант полупроводниковой промышленности SK Hynix объявил о масштабных инвестициях, направленных на укрепление своих позиций на рынке памяти для искусственного интеллекта. Согласно заявлению компании, совет директоров одобрил выделение 21.6 трлн корейских вон (около $15 млрд) на строительство новых производственных мощностей.

Средства планируется осваивать в период с 1 марта 2026 года по 31 декабря 2030 года. На них будет развиваться производственный кластер в городе Йонгин (к югу от Сеула).

Проект включает в себя завершение строительства первой фабрики к маю 2027 года и возведение 5 чистых комнат для второй-шестой очередей проекта. Объем 21.6 трлн вон включает ранее заявленные 9.4 трлн вон (о них компания заявляла в 2024 году).

Цель проекта – расширить производство памяти (HBM), которая требуется для ускорителей ИИ. Спрос на них сейчас буквально неутолимый.

Можно ожидать, что это усилит и без того передовые позиции Кореи на мировом рынке производства современной памяти. У SK Hynix, насколько мне известно, действуют заводы в Китае – в Даляне и в Уси, а также в Чунцине. В Корее производственные мощности компании сосредоточены в Чхонджу, в США – в Вест-Лафайете, Индиана. К ним должен добавиться кластер в Йонгине.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇨🇳 Производственные мощности. 7нм. 5нм. Китай

Китай нарастит производство передовых чипов в 5 раз за 2 года?

Шокирующий прогноз представило издание Nikkei Asia со ссылкой на «осведомленные источники». Речь идет не о всем объеме производства, а о микросхемах, выпускаемых с использованием техпроцессов 7нм и 5нм.

Сейчас китайские возможности оцениваются в 20 тысяч пластин. За 1-2 года в Китае его собираются нарастить до 100 тысяч пластин в месяц. А к 2030 году и вовсе – 500 тысяч пластин в месяц!

Как этого собираются достигнуть?

🔹 SMIC (Semiconductor Manufacturing International Co), крупнейший китайский контрактный производитель чипов, расширяет или строит новые производственные мощности. У компании есть оборудование ASML, которое позволяет создавать такие чипы путем многошагового процесса. Кроме того, компания ведет разработку собственного техпроцесса N+3, который также должен обеспечивать создание чипов 5нм.

🔹 Hua Hong Semiconductor, контрактный производитель, ранее фокусировался на зрелых технологиях, но под давлением правительства и при техподдержке Huawei (по слухам), также освоил передовые техпроцессы.

🔹 Huawei и по слухам связанные с ним компании (PengXinWei, Dongguan Guangmao и др.) активно развивают производство ИИ-кристаллов. В 2026 году мы ждем выхода Ascend 950 (PR и DT) с собственной HBM-памятью Huawei.

Производственные мощности между заказчиками, вероятно, будет распределять государство. Крупнейшим заказчиком чипов станет Huawei, также в очереди на ресурсы многочисленные китайские разработчики ИИ-чпиов: Cambricorn, T-Head, Moore Threads и другие, их количество уже около 2 десятков и растет.

За счет внутреннего спроса SMIC вышла на 3-е место в мире среди контрактных производителей чипов (после TSMC и Samsung) по итогам 3q2025.

В Китае все еще сталкиваются с проблемами ограниченного доступа к современному литографическому оборудованию. Затруднено легальное приобретение передовых литографов ASML и многого другого оборудования западных производителей. Китайское оборудование все еще заметно уступает импортному (говорят, что его активно испытывает компания JHICC. Связанная проблема- низкий выход годных, по слухам для 7нм техпроцесса SMIC это всего 30%, что бьет по себестоимости.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇷🇺 Производственное оборудование. Россия

Микрон разработает установку измерения рассовмещения топологических слоев на пластинах 150 и 200 мм

Об этом узнал CNews. Это оборудование - необходимая часть технологической линии по производству полупроводниковых структур на кремниевых пластинах.

Речь идет не о создании какого-то оригинального оборудования с нуля, а, скорее, о реинжиниринге американской установки KLA Tencor Archer 10 XT.

Тем не менее, с инженерной точки зрения задача вовсе не ординарная и в этом плане сроки, в течение которых должна пройти разработка, кажутся жесткими - до 31 июля 2029 года.

Оборудование должно в автоматическом режиме справляться с замерами рассовмещений топологических слоев по специальным меткам совмещения (для техпроцесса 130 нм). Производительность должна составлять не менее 75 пластин в час.

Это разработка весьма сложной высокотехнологичной установки на стыке оптики, прецизионной механики и электроники, а также необходимого ПО.

От оптики потребуется высокая числовая апертура, очень жесткими должны быть и требования к контролю перемещений предметного столика. Разработку дополнительно усложняет требование работы установки с пластинами различного диаметра.

Мне представляется, что наибольшие сложности могут ожидать разработчиков с оптическим блоком, а также с управлением столиком. С ПО и электроникой тоже придется повозиться, но здесь я не ожидаю того же уровня сложности, что с механикой и оптикой.

Денег под проект выделят 1.56 млрд, что кажется приемлемым.

В активе у Микрона - возможность тестировать установку в условиях реального производства.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇷🇺 Фотолитографы. Рентгеновские. Россия

В 2026 году в России может появиться фотолитограф нового поколения?

Источником рентгеновского излучения для нового литографа, как ожидается, станет сооружаемый в Кольцово под Новосибирском синхротрон СКИФ (Сибирский кольцевой источник фотонов), который может стать первым в мире источником синхротронного излучения с энергией 3 ГэВ и малым эмиттансом (менее 100 пм.рад).

Фотолитограф Орёл-7 - опытный литограф, который планируется создать на базе СКИФ. От него ожидают возможности поддержать техпроцессы ниже 28нм. Об этом сообщает Интерфакс.

Разработкой занимаются ученые Центра искусственного интеллекта НГУ, Института физики полупроводников СО РАН и Института вычислительной математики и математической геофизики СО РАН.

Промышленный рентгеновский литограф можно будет развернуть на базе синхротрона в Зеленограде.

Не будем забывать, что даже если с литографом все "срастется", для промышленного производства микросхем по техпроцессам ниже 28 нм требуется около 100 различных установок. Которых на сегодня в России нет, как импортных, так и отечественных. Разработать их за 1-2 года вряд ли возможно.

Так что хорошо, что какое-то движение вперед осуществляется, но на быстрый практический "выхлоп" я бы не рассчитывал.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇫🇷 🇮🇱 Фотоника. DWDM. ИИ. Технологии. Франция. Италия

Французы и израильтяне научились интегрировать DWDM-лазеры в инфраструктуру ИИ

Компании Tower Semiconductor (Израиль) и Scintil Photonics (Франция) объявили о доступности первых в мире гетерогенно интегрированных DWDM-лазеров, предназначенных для инфраструктуры искусственного интеллекта следующего поколения.

Что разработано?

Продукт получил название LEAF Light. Это первый в отрасли однокристальный DWDM-модуль, созданный на базе платформы SHIP (Scintil Heterogeneous Integrated Photonics), которая объединяет монолитные лазерные источники с проверенной платформой кремниевой фотоники Tower, предназначенной для массового производства.

Зачем это нужно?

DWDM-лазеры — ключевой компонент архитектуры Co-Packaged Optics (CPO), которая считается будущим для соединений в кластерах ИИ. Такие решения позволяют:

🔹 Обеспечить более высокую плотность полосы пропускания;
🔹 Добиться сверхнизкой задержки (латентности);
🔹 Снизить энергопотребление на бит передаваемых данных;
🔹 Повысить эффективность использования GPU и рентабельность инвестиций гиперскейлеров

Рынок CPO к 2030 году может занять существенную часть от $200-миллиардного рынка ИИ-сетей.

Что говорят в компаниях?

Мэтт Кроули, генеральный директор Scintil Photonics: «Инфраструктура ИИ следующего поколения требует оптических межсоединений с большей пропускной способностью на волокно при меньшей мощности на бит. DWDM CPO соответствует этой планке. LEAF Light дает технологию, а платформа Tower - масштабирование производства».

Доктор Эд Прайслер, вице-президент Tower Semiconductor: технология Scintil дополняет платформу PH18M, которая уже в массовом производстве для оптических трансиверов по всему миру.

Scintil Photonics базируется в Гренобле и ранее получила финансирование от французского правительства в рамках программы France 2030 на проект CanopAI по развитию фотонных интегральных схем. Tower Semiconductor, в свою очередь, активно сотрудничает с NVIDIA над созданием 1,6-Тбит/с трансиверов.

@RUSmicro, фото - Scintil Photonics LEAF Light

Читать полностью…

🇨🇦 ИИ-чипы. Стартапы. Инвестиции. Канада

Стартап Taalas привлек $169 млн для разработки ИИ-чипов «оптимизированных под LLM»

С этим раундом общий объем привлеченных компанией средств составил $169 млн, рассказывает Reuters.

Недавняя сделка Nvidia по лицензированию IP у чип-стартапа Groq за $20 млрд вызвала всплеск интереса к другим компаниям, активным на рынке разработки ИИ-чипов, особенно к тем, которые пока что только начали привлекать инвестиции.

В Taalas исповедуют технологию кастомных ИИ-процессоров, оптимизированных под конкретные модели. Например, под Llama от M*. Такие процессоры дополняют встроенной памятью SRAM, что обеспечивает повышенную скорость вычислений. Примерно 100 слоев чипа – «типовые», на двух последних формируется «настройка» под модель.

Производство обеспечивает незаменимая TSMC. Только здесь такие процессоры могут выпекать всего за пару месяцев, в 3 раза быстрее, чем чипы Nvidia Blackwell.

До сих пор Taalas могла выпускать чипы только для не самых больших моделей, но к концу 2026 года компания планирует создать процессор, способный работать с передовыми системами, уровня GPT-5.2.

В компании ставят на отказ от универсальности чипа в пользу его эффективности. Убрав все, что не требуется для конкретной модели и оптимизируя использование площади кристалла, в Taalas добились значительного прироста как скорости, так и энергоэффективности. А это выглядит перспективно.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇺🇸 ИИ и спрос на чипы. Тренды. Участники рынка. США

Компания на M* закупит миллионы чипов Nvidia для ИИ

Компания заключила многолетнее соглашение на закупку и развертывание "миллионов" процессоров Nvidia для обеспечения развертывания следующей волны инфраструктуры ИИ.

Соглашение распространяется на локальные и облачные среды Заказчика, ориентированные на использование в гипермасштабных ЦОД, предназначенных для обработки как задач обучения ИИ, так и задач вывода.

Марк Цукерберг заявил, что компания планирует "создавать передовые кластеры", используя платформы NVidia для предоставления "персонального сверхинтеллекта каждому человеку в мире".

Сделка охватывает текущее поколение ускорителей ИИ Blackwell от Nvidia и будущую платформу Vera Rubin AI. Также Заказчик нарастит развертывание Arm-процессоров Nvidia Grace в производственных ЦОД, стремясь повысить производительность на ватт.

Заказчик планирует развернуть технологию Nvidia Confidential Computing, предназначенную для защиты данных и приложений, чтобы обеспечить работу функций AI на своей платформе мессенджера, сохраняя при этом конфиденциальность данных.

По данным Bloomberg, на Заказчика уже приходится около 9% выручки Nvidia, она является вторым по величине клиентом производителя. Только в прошлом финансовом году Компания потратила на закупку чипов Nvidia около $19 млрд (!)

Компания намерена инвестировать до $135 млрд в инфраструктуру ИИ в этом году.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇨🇳 Производство полупроводников. Китай

Где в Китае производят полупроводники

Стремление Китая догнать конкурентов в полупроводниковой отрасли имеет как регуляторный, так и географический аспект. Централизованные планы отправляются в провинции, где их реализуют с различными приоритетами. Пятнадцатый пятилетний план центрального правительства, охватывающий период с 2026 по 2030 год, сосредоточен на достижении самообеспеченности полупроводниками и развитии всех связанных с этим цепочек поставок.

Этот план ещё даже официально не принят, но его уже включают в местные пятилетние планы развития провинций, где расширяются целевые кластеры полупроводниковой промышленности в попытке постепенной специализации.

Хотя различные регионы Китая конкурируют друг с другом в качестве мест, где будут размещены производства, это «дифференцированная конкуренция», контролируемая Пекином для предотвращения чрезмерной дублированности.

Цель состоит в том, чтобы предотвратить производство одних и тех же товаров повсюду и чрезмерное усиление конкуренции внутри Китая, как это уже наблюдается в некоторых других отраслях.

Так где же сосредоточено производство микросхем в Китае?

Наиболее важными кластерами по производству микросхем являются Шанхай и дельта реки Янцзы с провинциями Цзянсу и Чжэцзян, за которыми следуют столица Пекин и неожиданно быстро развивающаяся провинция Хубэй. Два других важных региональных кластера можно найти в дельте реки Чжуцзян и провинциях Сычуань/Ганьсу.

Три кластера в дельте Нила, а именно Шанхай, Цзянсу и Чжэцзян, вместе привлекают более половины всех новых инвестиций в отрасль. Географическая концентрация производства полупроводников в Китае становится еще более очевидной, если учесть, что 5 упомянутых выше регионов привлекают более 80% всего капитала, несмотря на то, что в Китае насчитывается в общей сложности 21 провинция и город на уровне провинций.

Подробности

Шанхай и дельта реки Янцзы традиционно являются центрами литейного производства в Китае, и здесь расположены крупнейшие производители, такие как SMIC. Пекин и соседний Тяньцзинь обладают сильными позициями в области проектирования микросхем и полагаются на многочисленных выпускников своих ведущих университетов.

Дельта Жемчужной реки, которая в данном контексте также включает Гуанчжоу и Шэньчжэнь, а также их окрестности, известна своим бесфабричным проектированием и аутсорсингом производства специализированным литейным заводам. Другие региональные кластеры, такие как кластеры в провинции Сычуань (включая соседнюю Ганьсу) или перспективные технологические центры в провинциях Хубэй и Аньхой, развиваются за счет еще большей специализации на отдельных перспективных технологиях.

Ярким примером этого является крайне амбициозная провинция Аньхой, где сосредоточены на разработке микросхем памяти DRAM и недавно приняли решение о комплексном развитии ИИ, полупроводниковой и квантовой отраслей.

Пекин, Шанхай и Шэньчжэнь лидируют в развитии экосистем для производства логических микросхем (SMIC, Huahong, Huawei), в то время как Ухань в провинции Хубэй и Хэфэй в провинции Аньхой преуспевают в производстве микросхем памяти (YMTC, CXMT). В целенаправленном развитии кластеров правительство Китая придерживается принципа, который применялся ко всему населению в эпоху Дэн Сяопина: «Пусть кто-то сначала разбогатеет». На этот раз речь идет о нескольких регионах и промышленных кластерах, которые, как ожидается, постепенно обеспечат технологическую модернизацию и ускоренный рост ВВП всей страны в течение нескольких лет. (..)

@RUSmicro

Читать полностью…

(2)
Смогут ли Китай и Россия вступить в гонку за 2нм в ближайшие 5 лет?

У Китая, безусловно, есть шансы. Но, скорее всего, речь не будет идти о покупке EUV-сканеров. В Китае активно идет развитие собственных литографических решений. Пока что говорить о паритете с ASML не приходится. Как и о том, получится ли у китайцев добиться сравнимой (или меньшей) цены на свои изделия, а также достаточного для рентабельного производства выхода годных. Возможно китайцы добьются большего успеха в разработке литографы на основе другого источника (LDP, лазерно-индуцированная плазма). Но и здесь потребуется время, это в целом технология без подтвержденной дорожной карты.

Что до нашей страны, учитывая завесу неразглашений, говорить о достижениях в области передовой литографии крайне сложно. Но с учетом необходимых инвестиций и геополитической ситуации, шансы для России вступить в гонку за освоение 2нм и ниже в ближайшие 5 лет выглядят низкими. Даже если кто-то активо занимается литографом, даже если эти работы увенчаются успехом уже в ближайшие годы, то нужно еще будет параллельно создать всю экосистемы - от материалов и другого оборудования до кадров. За 5 лет этого не сделать.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇪🇺 Производители полупроводниковых структур. Участники рынка. Европа. Нидерланды

Голландская Nexperia получит госкредит $60 млн для увеличения производства микросхем

Голландское государственное финансовое учреждение Invest International предоставит производителю микросхем Nexperia кредит в размере $60 млн для поддержки ряда глобальных инвестиций в его производственные площадки, сообщает Reuters.

Финансирование призвано помочь нарастить объемы производства, модернизировать производственные линии и повысить эффективность.

Компания Nexperia, базирующаяся в Нидерландах и являющаяся подразделением китайской Wingtech, оказалась в центре крупного корпоративного противостояния между Европой и Китаем после вмешательства чиновников Нидерландов в его деятельность в 2025 году, в рамках которого была назначена европейская управленческая команда.

Этот шаг спровоцировал кризис, который нарушил глобальные поставки базовых микросхем для автомобильной промышленности и отпугнул инвесторов.
Ссылаясь на представителя компании, голландская газета FD упомянула, что идут и другие переговоры о финансировании Nexperia.

На прошлой неделе голландский суд распорядился провести расследование ненадлежащего управления в Nexperia. Он зафиксировал, что европейская команда менеджеров останется у руля в компании.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇫🇷 Научная инфраструктура. Чистые комнаты. FD-SOI. Франция. Европа

CEA-Leti представляет чистую комнату площадью 2000 кв. м для разработки полупроводников следующего поколения

CEA-Leti официально открыл пилотную линию FAMES, включающую чистую комнату площадью 2000 кв. м.
Этот комплекс, увеличивает общую площадь чистых комнат CEA-Leti до 14 000 кв. м, предназначен для поддержки разработки и прототипирования передовых технологий FD-SOI, радиочастотных технологий, встроенной памяти, 3D-интеграции и управления питанием.

Что уникального в новой чистой комнате?

Комплекс является открытым, что позволяет европейским стартапам (это что-то из области единорогов?), малым и средним предприятиям, промышленным группам и исследовательским организациям ее использовать - создавать прототипы, проводить квалификацию и снижать риски передовых полупроводниковых технологий перед их промышленным внедрением.

Два подземных уровня обеспечивают размещение сложных технических установок, а высота потолка в 5 метров позволяет разместить крупногабаритное оборудование.

Низкий уровень вибраций и выделенные резервные системы электропитания гарантируют бесперебойную работу, что крайне важно для высокоточного производства полупроводников.

«Разработанные в FAMES прорывные технологии призваны поддерживать будущие поколения микросхем FD-SOI с размером элементов менее 10 нм, обеспечивая создание высокопроизводительных и энергоэффективных компонентов для Европы», — сказал Жан-Рене Лекепей, заместитель директора и технический директор CEA-Leti.

Это настолько выдающееся для современной Европы событие, что торжественное открытие собрало более 350 представителей промышленности, исследовательских организаций, государственных органов и европейских институтов. Но вряд ли эти "чистые комнаты" как-то кардинально поменяют картину отставания ЕС от США, Тайваня и Китая в современных технологиях микроэлектроники в доле глобального рынка.

@RUSmicro, по материалам CleanRoomTechnology

Читать полностью…

🇯🇵 Передовые производства микроэлектроники. 2нм. Япония

Rapidus ускоряет освоение 2-нм техпроцесса

Согласно официальным планам, представленным в Министерство экономики, торговли и промышленности Японии, дорожная карта Rapidus выглядит следующим образом:

🔹 В 2027 году компания планирует начать производство кристаллов по техпроцессу 2нм, а в 2028 году финансовом году перейти к крупномасштабному производству. На начальном этапе, как ожидается, производственные мощности компании составят около 6000 пластин (12 дюймов в месяц), но примерно через год объемы производства, как ожидается, вырастут до 25 тысяч пластин в месяц.

В Rapidus ставят перед собой задачу обеспечивать выпуск полупроводниковых микросхем по самым передовым технологиям. А потому среди целей компании – начать в 2029 году производство чипов по техпроцессу 1.4 нм, а в перспективе достичь уровня в 1 нм (сроки освоения данного техпроцесса компания не называет).

Производство 2нм GAA планируется наладить на фабрике IIJ-1 в Титосе, Хоккайдо. Это фаб полного цикла – от изготовления пластин до формирования структур на пластинах, разделения пластин, упаковки и корпусирования кристаллов.

Проект активно развивается. В частности, первая производственная линия запущена еще в апреле 2025 года. Вот уже почти год идет отладка процесса GAA 2нм. Компания сообщала о прогрессе в этом еще летом 2025 года.

В 1q2026 компания планирует начать поставки клиентам PDK (Process Design Kit) – набора файлов, необходимых для проектирования чипов под процесс 2нм GAA компании (2HP). Как заявляет компания, это техпроцесс позволяет достигать плотности размещения элементов в 237.31 MTr/кв.мм, что близко к показателям техпроцесса в 236.17 МТр/кв.мм и превосходит возможности Intel 18A с его плотностью в 184,21 МТр/мм² .

Поскольку в Rapidus понимают, что отстают от лидеров рынка, TSMC и Samsung, которые уже начали массовое производство чипов в 2025 году, в Rapidus намерены выиграть за счет предложения рынку «гибких и быстрых» услуг. Ключевым отличием может стать концепция срочной обработки отдельных пластин или их небольших партий. В частности, если традиционные производственные циклы достигают 120 дней, то Rapidus обещает сокращение этих сроков до 50 дней, а в случае срочных заказов – до невероятных 15 дней!

Проект пользуется активной поддержкой правительства страны, в частности, компания уже получила значительную господдержку. В 2025-2027 финансовых годах, правительство Японии намерено выделить еще $19 млрд.

Как и всегда ключевым вопросом остается – получится ли у компании выйти на приемлемый уровень выхода годных. Не менее сложно будет заполучить крупных клиентов для загрузки новых мощностей. Выход на рынок нового конкурента в виде Rapidus, конечно, окажет давление на ценовую политику TSMC и Samsung, но насколько заказчики масштабов Apple, Qualcomm и Nvidia захотят предавать свои заказы новому участнику рынка? Впрочем, безусловно, если у японцев «все срастется», то и это сценарий вполне реалистичен.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇺🇸 Регулирование. Оборудование для производства микросхем. Экспортное регулирование. Штрафы. Участники рынка. США

Applied Materials выплатит $252 млн за «незаконный экспорт» в Китай оборудования для производства микросхем

Минторг США объявил о достижении соглашения с Applied Materials (AMAT) – производитель выплатит $252 млн в рамках урегулирования претензий по поводу незаконного экспорта оборудования китайской SMIC. Это второй по величине штраф в истории Бюро промышленности и безопасности (BIS) — больше только штраф Seagate ($300 млн) в 2023 году.

Расследование стало следствием эксклюзивного отчёта Reuters в 2023 году, впервые раскрывшего схему поставок и факт уголовного расследования.

Суть нарушений. Вскоре после того, как Минторг в декабре 2020 года внёс SMIC в «чёрный список» (Entity List), заработала схема обхода ограничений: оборудование AMAT, произведённое в США, направлялось дочерней компании в Южной Корее (Applied Materials Korea), а оттуда - в Китай, где его в конечном итоге получала SMIC. Таким образом поставлялись ионные имплантаторы - критическое оборудование для производства чипов .

Масштаб. Незаконные поставки произошли 56 раз в 2021 и 2022 годах. Общая стоимость оборудования составила $126 млн.

Штраф. Сумма в $252 млн ровно в 2 раза превышает стоимость поставок. Это максимальный штраф, разрешённый американским законодательством (выше ×2 назначить нельзя).

Кадровые и корпоративные последствия. В рамках урегулирования Applied Materials подтвердила, что сотрудники и старшие менеджеры, ответственные за нелегальные поставки, покинули компанию. Кроме того, компания обязалась проводить серию аудитов экспортного комплаенса и ежегодно сертифицировать их результаты перед BIS.

Закрытие других расследований. Минюст США (DOJ) и Комиссия по ценным бумагам и биржам (SEC) уведомили Applied Materials о закрытии параллельных расследований без применения каких-либо мер.

В Applied Materials заявили, что удовлетворены достигнутым соглашением. Для Минторга США это дело стало важным прецедентом: подчёркивается, что экспортные правила распространяются на любые цепочки поставок, включая реэкспорт через третьи страны.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇺🇸 Производители оборудования. GAA. Суб-2нм. США

Applied Materials представила инструменты для суб‑2‑нм GAA‑чипов и усиливает кооперацию с Кореей

Американская Applied Materials, один из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, анонсировала три новые системы для техпроцессов ангстремного масштаба. Решения нацелены на резкий рост производительности ИИ-чипов и одновременно - на сдерживание взрывного роста энергопотребления оборудованием в этом сегменте.

Представленные продукты, Viba, Sym3G Magnum и Spectral, оптимизированы под Gate-All-Around (GAA).

🔹 Viba. Предназначена для обработки поверхности на атомарном уровне.

🔹 Sym3G Magnum. Формирует полости истока/стока. Точно контролирует плотность ионов и угла наклона, что позволяет формировать прямоугольное дно, равномерный доступ к нанолистам и обеспечивает высокий выход годны.

🔹 Spectral. ALD установка для осаждения молибдена. Замена вольфрама на молибден в ключевых проводящих слоях обеспечивает снижение контактного сопротивления более, чем на 15%, при этом сохраняется низкое сопротивление даже на сверхтонких дорожках.

В компании связывают свою новую линейку с энергетическим кризисом из-за роста ИИ-инфраструктуры.

Что касается «корейского вектора», то Applied Materials рассматривает Корею как приоритетный рынок и усиливает локальное присутствие:

🔹 Samsung Electronics вошла в число первых финансирующих участников исследовательского центра EPIC Center, который Applied строит в Кремниевой долине.

🔹 В 2H2026 года в Осане (Кёнгидо) официально откроется Korea Collaboration Center (KCC) - площадка для совместных разработок с местными заказчиками и университетами.

Рынок оборудования для GAA и ангстремных техпроцессов стремительно нагревается. Прямые конкуренты Applied, Lam Research и Tokyo Electron, также ведут разработки в области GAA. Однако Applied делает ставку не только на «железо», но и на интеграцию с экосистемой заказчика через исследовательские коллаборации, что особенно заметно на примере корейских партнёрств.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇺🇸 Современная упаковка. Новые техпроцессы. США

Broadcom рассчитывает продать 1 млн чипов, упакованных по технологии 3.5D в 2026 году

Компания Broadcom, разработчик чипов для искусственного интеллекта, заявила, что рассчитывает продать к 2027 году не менее 1 миллиона чипов, собранных по технологии «многослойной структуры». Речь идет о техпроцессе 3.5D eXtreme Dimension System in Package (3.5D XDSiP), предназначенном для создания высокопроизводительных процессоров под задачи ИИ и HPC.

Особенность технологии в том, что она позволяет собрать на одной подложке кристаллы общей площадью более 6000 кв.мм, а также 12 стеков памяти HBM. В ее основе CoWoS-L, предусматривающий максимальный размер интерпозера примерно в 5.5 раз больше, чем размер сетки.

Чиплеты размещаются в стеке лицом к лицу (Face-to-Face, F2F). Это позволяет напрямую соединять верхние металлические слои верхней и нижней матрицы, достигая высокой механической прочности, высокой плотности и надежности соединения.

В отличие от «традиционного» метода «лицом к спине» (Face-to-Back, F2B), F2F обещает выигрыш в разы в количестве возможных сигнальных соединений. Это также позволяет говорить как о снижении энергопотребления в интерфейсах кристалл-кристалл на 90%, так и о минимизации задержек распространения сигналов.

Интерес к этой разработке проявляют Google, OpenAI и другие компании. Ожидается, что в Fujitsu уже изготавливают опытные образцы микросхем по этому техпроцессу с планами серийного выпуска микросхем ближе к концу 2026 года.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇷🇺 Производство оптоволокна. Проблемы. Россия

Китайские поставщики подняли цены для российских покупателей в 2.5-4 раза

Такими сведениями делятся Ведомости. Причин для этого несколько. Одна из них – растущий дефицит оптоволокна в мире, связанный как с использованием дронов FPV с управлением по оптоволокну, так и массовое строительство ЦОД ИИ, в которых соединение серверов обеспечивается оптоволоконными кабелями.

Китай обеспечивает свыше 60% объемов мирового производства оптоволокна. Поскольку в России на текущий момент практически не выпускаются массово ни преформы, ни оптоволокно, его приходится закупать в Китае. Только за 2025 год и начало 2026 года цены выросли с 16 юаней за 1 км до 40 юаней за км, приводит газета данные Леонида Коника, ComNews.

Сейчас предпринимаются меры по созданию в России производства преформ. А когда будет восстановлено крупносерийное производство оптоволокна – не ясно. Так что наблюдается близкая к 100% зависимость от Китая в этом вопросе.

Потребление оптоволокна Россией в 2025 году выросло более, чем в 10 раз, ранее оно не превышало 1% от объемов мирового рынка, а по итогам 2025 года превысило 10%.

В сложившихся условиях, у российских кабельных заводов нет способа удерживать цены, они будут вынуждены отразить рост цен на сырье (оптоволокно) в росте цен на кабели. Но и по новым ценам закупить оптоволокно в объемах 2025 года будет сложно. Какое-то время ситуацию позволят сглаживать складские запасы, затем Россия может столкнуться с дефицитом оптоволоконного кабеля.

Далее по цепочке следствий можно ожидать повышения стоимости аренды темного волокна, удорожания и замедления строительства в России магистральных сетей и ЦОД ИИ. Как на грех, с каждым годом растет степень устаревания проложенных в 90-е годы в нашей стране оптоволоконных кабелей, уже подошло время их массовой замены. Проблемы с оптоволокном могут сказаться на качестве работы и темпах развития телекома, ЦОД и ИИ.

Выходом могло бы стать налаживание собственного крупномасштабного производства оптоволокна (и преформ). Но быстро это сделать вряд ли получится. Особенно это касается сложных видов оптоволокна – устойчивого к изгибам и высокопрозрачного.

@RUSmicro

Читать полностью…

📈 Чипы ИИ. Стартапы vs Nvidia. Европа. США

ИИ-чипы нужны всем. Еще два игрока подняли денег, чтобы создать альтернативу чипам Nvidia

Рынок ИИ-чипов продолжает кипение: еще два игрока привлекли крупные инвестиции.

🇳🇱 Нидерланды: Axelera AI

Европейский стартап закрыл раунд на $250 млн при лидерстве Innovation Industries и поддержке BlackRock. Это крупнейшая инвестиция в ИИ-полупроводники в истории ЕС! Компания делает ставку на edge-сегмент (роботы, компьютерное зрение, безопасность) и энергоэффективность: чип компании Europa потребляет всего 45 Вт, выдавая производительность уровня NVIDIA A100. Ключевая идея - обработка данных локально, без необходимости запроса к облачному дата-центру.

🇺🇸 США: SambaNova Systems

Американский стартап привлек $350 млн при участии Vista Equity и Intel Capital и анонсировал стратегический альянс с Intel. Новый чип SN50 компания позиционирует как самое быстрое решение для агентного AI. Заявлена скорость в 5 раз выше конкурентов и снижение совокупной стоимости владения в 3 раза по сравнению с GPU. SoftBank уже принял решение о закупке SN50 для своих ЦОД в Японии.

Тренд: всего за 2 дня три ИИ-чипмейкера (включая MatX с $500 млн) привлекли более $1.1 млрд!

Инвесторы деньгами голосуют за диверсификацию, кому-то нужны чипы для создания мощных облачных кластеров, кто-то ориентируется на "умные" камеры, обрабатывающие информацию на месте.

Шутки насчет "убийцы" Nvidia перестают быть шутками. Пусть пока что речь идет о сравнительно небольших компаниях, но уровень конкуренции таков, что в этом бульоне что-то обязательно родится. Да и Nvidia когда-то была всего лишь стартапом.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇳🇱 Фотолитографы. Нидерланды

ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах

Это сулит серьезный рост производительности при производстве наиболее передовых микросхем.

Мощность источника удалось поднять с 600 Вт до 1 кВт (ок, не удвоила, лишь почти удвоила).

Как этого удалось достичь?

В EUV-машинах излучение 13.5 нм создает плазма олова. Чтобы создать плазму, в вакуумной камере поток из капель расплавленного олова обстреливают мощным лазером.

Для увеличения мощности в ASML удвоили частоту подачи капель - до фантастичных 100 тысяч капель в секунду. Кроме того, теперь используют ни один лазерный импульс на каплю а два. Первый придает капле нужную форму, второй - превращает ее в плазму. Так удается получить больше энергии.

Это не эксперимент, в ASML говорят о том, что это полностью работоспособная система, готовая к использованию в производстве.

Как это скажется на производительности фотолитографов EUV?

Если сейчас они могут выдавать по 220 пластин в час, то к 2030 году производительность, как ожидается, вырастет до 330 пластин в час.

Это значит, что можно будет нарастить объемы выпуска полупроводниковых пластин почти на 50%, без необходимости строительства новых фабрик и дорогостоящих "чистых комнат". Это обещает снижение себестоимости чипов, что принципиально важно для таких гигантов отрасли, как TSMC, Intel и Samsung.

В ASML планируют предложить своим клиентам специальные "пакеты обновления", которые позволят интегрировать новую технологию в закупленные ими ранее системы.

А еще в ASML знают как достичь мощности в 1500 Вт. Более того, по словам ученых, нет фундаментальных ограничений для выхода на 2000 Вт. Это означает, что "традиционные" источники света для литографов еще поживут и даже позволят продолжить развитие технологии. Что позволит не спешить с переходом на куда более громоздкий и сложный подход, в основе которого - использование ускорителей частиц.

Это, конечно, не отменит стремления США (Substrate и xLight), Китая и России создать собственные фотолитографы для техпроцессов ниже 10 нм и ниже 1нм.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇷🇺 Безфабричные производители. Участники рынка. Россия

Байкал Электроникс по итогам 2026 года надеется выйти на результаты 2021 года

И в целом в ближайшие годы «существенно улучшить» финансовое положение компании. Об этом рассказал РБК глава компании Андрей Евдокимов.

В 2021-м году компания показывала 163 млн выручки, в 2022-м – 400 млн рублей.

Компания по-прежнему является безфабричной, занимается разработкой чипов, заказывает их изготовление на контрактных производствах, названия которых не разглашаются.

Компания не раскрывает финансовые показатели, но признает, что «формально» чистый убыток сохраняется, отмечая, что одновременно растет капитализация компании в виде нематериальных активов.

Кроме микропроцессоров, компания также начала производить (разрабатывать и заказывать производство) микроконтроллеров. В 2026 году компания планирует произвести и поставить покупателям более 1 млн штук.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇷🇺 Фотоника. Научные исследования. Россия

В России разработали сверхминиатюрный интегральный электрооптический модулятор

Рекордно малые размеры и низкие потери сигнала в разработанном учеными МГТУ им. Н.Э.Баумана и ВНИИА им. Н.Л.Духова интегральном электрооптическом модуляторе достигаются за счёт использования технологического подхода, основанного на использовании нитрида кремния (SiN) и прозрачных проводящих оксидов (transparent conductive oxide, TCO), а также применения сверхтонких плёнок активного материала с прецизионным контролем их свойств.

До сих пор модуляторы, как правило, формировали на основе ниобата лития, типовые размеры таких устройств измеряются в миллиметрах. Новая российская разработка позволяет сократить размеры примерно на 2 порядка.

Нитрид кремния пробовали применить и раньше, поскольку этот материал обещает низкие потери сигнала, но не получалось добиться быстрого управления сигналом.

В основе новой разработки:

🔹 Структура из 5 тонких слоев, что позволило создать модулятор с размерами менее 10 мкм, способный управлять сигналом с частотой выше 1 ГГц;

🔹 Использование активного слоя из прозрачного проводящего оксида (например, это может быть оксид индия-олова, ITO) толщиной 10-20нм. Этот материал демонстрирует выраженный электрооптический эффект: при подаче электрического потенциала изменяется концентрация свободных носителей заряда, что вызывает изменение оптических свойств материала, позволяя регулировать прохождение светового сигнала;

🔹 Была разработана технология формирования ультратонких пленок (ITO), позволяющая получать воспроизводимые, стабильные характеристики;

🔹 За счет прецизионного контроля оптических и электрических параметров активного слоя на всех этапах технологического процесса, ученые смогли добиться низкого уровня вносимых потерь в 5.7 дБ.

🔹 Нитрид кремния хорош тем, что это технология хорошо сочетается с существующими кремниевыми техпроцессами, что обещает возможность создания компактных ФИС.

Работы над проектом шли с 2018 года. Результаты были опубликованы в научных журналах, таких как Scientific Reports и Applied Physics Letters.

@RUSmicro, по материалам Функциональные микро / наносистемы, фото - источника

Читать полностью…

🇷🇺 Производство микросхем. Датчики углового положения. Россия

Микрон завершает разработку микросхем абсолютного On-Axis магнитного датчика углового положения MIK5147 и микросхемы бесконтактного индуктивного датчика положения на основе вихревых токов MIK2200 (названия микросхем могут меняться).

🔹 Магнитный датчик MIK5147

Магнитный энкодер абсолютного положения, включающий сенсорную систему на основе элементов Холла, следящий преобразователь «угол-код», цифровую обработку и схемы интерфейса.

▫️Аналоги: iC-MHM, AS5147, AEAT-8811-Q204
▫️Разрешение: 10-14 бит (до 16384 отсчетов на оборот), программируемое.
▫️Скорость вращения:
-14 бит / 30 000 rpm;
-13 бит / 60 000 rpm;
-12 бит / 120 000 rpm;
-11 бит / 240 000 rpm;
-10 бит / 480 000 rpm
▫️Общая ошибка преобразования: ± 0.35°
▫️Ток потребления: не более 33 мА (без нагрузки)
▫️Диапазон рабочих температур: От -40 до +125 ℃
▫️Корпус: QFN-64, 8х8 мм, шаг 0.4мм.

🔹 Индуктивный датчик MIK2200

Для создания бесконтактных индуктивных датчиков положения с конструкцией сенсорной системы на основе плоской печатной платы и металлической мишени.

▫️Аналоги: AS5715, LX34070, IPS2200
▫️Частота LC генератора: От 1 до 6 МГц
▫️Разрешение: 10-14 бит (до 16384 отсчетов на оборот, 2.5’’), программируемое.
▫️Скорость вращения:
-14 бит / 30 000 rpm;
-13 бит / 60 000 rpm;
-12 бит / 120 000 rpm;
-11 бит / 240 000 rpm;
-10 бит / 480 000 rpm.
▫️Ток потребления: не более 30 мА (без нагрузки)
▫️Диапазон рабочих температур: От -40 до +125 ℃
▫️Корпус: QFN-64, 8х8 мм, шаг 0.4мм.

@RUSmicro

Читать полностью…

(2) Развитие в рамках пятилеток

Тем, кто хочет добиться успеха в бизнесе в Китае в ближайшие годы или просто ищет подходящее место для размещения производственных линий, следует внимательно изучить отдельные пятилетние планы. Например, Шэньчжэнь в своем плане относит интегральные схемы к стратегическим отраслям, а также упоминает конкретные прорывные и асимметричные технологии. Цель состоит в том, чтобы стать «первопроходцем» и играть ведущую роль в развитии передовых полупроводниковых технологий.

В своем пятилетнем плане провинция Чжэцзян также заявляет о своем стремлении в ближайшее время добиться прорывов в диапазоне от 3 до 7нм и уделяет особое внимание таким сегментам, как чипы для ИИ и чипы с архитектурой RISC последнего поколения.

Пекин активно развивает несколько локальных кластеров. Среди них – северный район Хайдянь, который иногда называют «китайской Кремниевой долиной», и который сейчас стремится сосредоточиться на фундаментальных исследованиях в области архитектуры микросхем, современных полупроводников и программного обеспечения EDA. Здесь же расположен район Чжунгуаньцунь, известный высокой концентрацией высокотехнологичных компаний и находящийся в непосредственной близости от ведущих университетов страны.

Есть еще пригород Ичжуан на юге Пекина, где размещена Пекинская зона экономического и технологического развития (BDA) с ее чиповой промышленностью, робототехникой и автоматизацией, автономным вождением и другими высокотехнологичными отраслями. Вот уже немало лет, как она растет в среднем на 8% в год. Это один из нескольких китайских центров «воплощенного ИИ», который в Китае также поставили в центр стратегии развития пятилетки.

Помимо существующих заводов по производству микросхем, в Шанхае в последнее время все большое внимание уделяется интеграции чиповой индустрии с ИИ. С помощью таких программ, как «Шанхай, ориентированный на модели», например, планируется стимулировать разработку вертикальных моделей ИИ, одновременно продвигая исследования в области высококачественных микросхем для ИИ.

Для генеральных директоров и стратегов в других странах (и Россия здесь не исключение) дифференцированные технологические планы этих полупроводниковых регионов предоставляют важную информацию для поиска новых клиентов и рынков сбыта, а также конкретные указания по адаптации собственной корпоративной стратегии к возможностям роста в Китае.

@RUSmicro по материалам All-about-Industries, картинка - Asia Waypoint

Читать полностью…

🇺🇸 Участники рынка. Производители микросхем. США

Analog Devices прогнозирует сильные результаты 2fq2026

2-й финансовый квартал у компании начинается с 1 февраля 2026 года. Хорошим результатам способствовал спрос на продукцию Analog Devices со стороны промышленных предприятий и производителей серверов для ИИ ЦОД. Об этом сообщает Reuters.

Согласно данным LSEG, компания прогнозирует выручку за второй ф.квартал в размере $3,5 млрд, с погрешностью в плюс-минус $100 млн, по сравнению со средней оценкой аналитиков в $3,23 млрд. Выручка за 1-й ф.квартал составила $3,16 млрд, превысив прогнозы в $3,12 млрд.

Производитель микросхем прогнозирует скорректированную прибыль в размере $2,88 на акцию, плюс-минус 15 центов, по сравнению с консенсус-прогнозом аналитиков в $2,31 на акцию.

@RUSmicro

Читать полностью…

🔬 Мнения. Производственное оборудование

TSMC не спешит за High-NA EUV. Почему?

TSMC немало лет остается самым передовым производством полупроводниковых пластин. Но, по каким-то причинам, эта компания пока что не спешит с закупками наиболее передовых литографов ASML High-NA 0.55 (Twinscan EXE:5200B). С рекордной ценой в $380 млн за единицу. Машины с числовой апертурой NA 0.55 позволяют получать линии 8нм за один проход, тогда как литографы Low-NA 0.33 дают, минимум, 13 нм.

Экономика прежде всего

Вряд ли кто-то, кроме непосредственно принимавших это решение людей, знает истинные причины. Но вполне можно предположить причины стратегии, выбранной в TSMC. Главная причина, которую официально озвучивает сама компания, — стоимость. Один High-NA-сканер стоит почти вдвое дороже нынешних систем EUV (около $200 млн). Кроме того, в TSMC могут достичь целевых показателей производительности, выхода годных и плотности транзисторов для своих 2-нм и A16 (1.6 нм) продуктов, используя проверенные 0.33-NA EUV-сканеры.

Исследования IBM показывают, что одиночный High-NA-экспонирование обходится в 2.5 раза дороже стандартного низкоапертурного. И только на сложных слоях с многократным патернированием High-NA может снизить стоимость пластины в 1.7-2.1 раз за счет сокращения числа масок. Паритетет затрат, по оценкам аналитиков SemiAnalytics, наступит не ранее 2030 года, но это лишь прогноз. В TSMC, похоже, рискнули не платить "технологический аванс", уступив это неблагодарное дело конкурентам.

Технологическая уверенность

TSMC демонстрирует, что может "выжимать" максимум из существующего оборудования. Компания подтвердила, что ее техпроцессы A16 (1.6 нм) и A14 (1.4 нм) будут запущены в производство без использования High-NA EUV. Компания успешно добивается высокой плотности и высокого уровня годных на Low-NA за счет улучшений в дизайне и в процессах: улучшений алгоритмов коррекции близости (OPC), совершенствования масок и процессов травления, использования многопроходной литорафии везде, где это оправдано экономически.

Разумеется, это не означает, что TSMC полностью игнорит новую технологию. Компания внимательно следит за ситуацией и спроектировала фаб A16 так, чтобы была возможность развернуть на нем High-NA EUV машины.

Кто выиграет

Пока в TSMC не спешат, этим пытаются воспользоваться другие игроки.

У Intel уже есть работающие High-NA-сканеры, компания планирует использовать их для выпуска структур с разрешением 14A. Но пока что речь не столько об "опередить", сколько о хотя бы догнать.

Японская Rapidus уже выпустила PDK (набор для проектирования) для своих первых клиентов. Если Rapidus преуспеет, он может отобрать у TSMC часть заказов на передовые чипы для ИИ. Но японцы годами не занимались передовыми технологиями, будет ли проект успешным, не останется ли он нишевым - мы пока не знаем.

Заказы на ASML High NA 0.55 разместили корейские SK Hynix и Samsung. А Intel уже работает на передовом литографе с тестовыми пластинами.

Может ли это изменить расстановку сил на рынке передовой литографии уже в 2028-2029 году? Нет. High-NA начнет оказывать заметное влияние на рынок не ранее 2030 года. (..)

Читать полностью…

🔬 Горизонты технологий. Материалы GeSn. Перспективные полупроводники. Европа

В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn

Учёные из Университета Эдинбурга и других исследовательских центров (включая GFZ Helmholtz Centre for Geosciences, Университет Лилля, Университет Гренобль Альпы, Университет Байройта и Европейский синхротронный центр) разработали метод создания стабильных германий-оловянных сплавов.

GeSn-полупроводники – это новый класс материалов, которые могут значительно улучшить эффективность оптоэлектронных устройств. Эти материалы способны более эффективно поглощать и излучать свет по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками.

Это было известно и ранее, но до сих пор ученым не удавалось создавать стабильные германий-оловянные сплавы. Более того, считалось, что создать такой материал практически невозможно, так как германий и олово не вступают в химическую реакцию друг с другом в обычных условиях. Теперь – удалось!

Смесь германия и олова нагревали до температуры выше 1200 °C и одновременно применяли давление до 10 гигапаскалей (примерно в 100 раз превышающее давление на дне Марианской впадины). В этих экстремальных условиях атомы образовали новую гексагональную кристаллическую структуру. В результате получились сплавы, которые остаются стабильными при комнатной температуре и давлении. И являются эффективными полупроводниками (при доле олова до 16%).

Поскольку германий и олово относятся к той же группе периодической таблицы, что и кремний, их сплавы можно интегрировать в существующие CMOS-процессы.

Исследования показали, что GeSn-полупроводники обладают интересными спин-связанными свойствами, что делает их перспективными для спинтроники.

Многообещающе выглядит материал и для создания лазеров, способных работать при высоких температурах. Например, ранее исследователи демонстрировали GeSn-лазеры, работающие при температурах до 180 Кельвинов (около −135 °C), с более широким диапазоном длин волн и более низким пороговым значением генерации. Цель учёных — создать электрически накачиваемый лазер, работающий при комнатной температуре.

🎓 Кремний и германий – материалы с так называемой непрямой запрещенную зону. Запрещенная зона, это разница энергий, которую электроны должны преодолеть, чтобы проводить электричество. В материале с непрямой запрещенной зоной электроны не могут легко высвобождать энергию в виде света; вместо этого большая ее часть теряется в виде тепла. Это делает кремний и германий неэффективными для создания светоизлучающих устройств.

Добавление олова изменяет электронную структуру и, следовательно, расположение энергетических уровней внутри материала. При достаточном количестве олова германий может приблизиться к прямой запрещенной зоне, что означает, что электроны могут высвобождать энергию непосредственно в виде света. Это существенно облегчает задачу создания лазеров.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇹🇼 Производство GaAs полупроводников. Участники рынка. Тайвань

Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них

Тайваньская компания Win Semiconductor, мировой лидер в контрактном производстве полупроводниковых структур на арсенид-галлиевых пластинах, прогнозирует x2 - x3 рост спроса в 2026 году. Причина - бум рынка оптических модулей передачи данных 1.6T, которые используются при развитии инфраструктуры ИИ-ЦОД и магистральных каналов связи. Кроме того, микросхемы GaAs активно применяют также в низкоорбитальных спутниках и в смартфонах.

WIN Semiconductors предоставляет услуги по разработке и производству монолитных микроволновых интегральных схем (MMIC) и радиочастотных микросхем (RFIC) для различных применений — от 50 МГц до 170 ГГц. Компания поддерживает широкий спектр технологий, включая HBT (гетеропереход биполярный транзистор), pHEMT, GaN HEMT и другие.

Рынок GaAs-фаундри относительно невелик по сравнению с кремниевым, но он растет, особенно по части высокочастотных и малошумящих применений, что актуально в телекоме, аэрокосмической отрасли, оборонной промышленности. По данным на 2024 год, глобальный рынок GaAs-фаундри оценивался в $853 млн, а к 2031 году прогнозировался рост до $1079 млн при среднегодовом темпе роста (CAGR) 3,5% - возможно теперь эти прогнозы придется пересмотреть.

@RUSmicro

Читать полностью…

🔥 SPRINT OFFER в YADRO: оффер UVM Verification Engineer за 3 дня!

Хотите работать в команде, где верификация является ключевым инструментом обеспечения качества SoC и напрямую влияет на архитектурные решения?

Мы в поиске специалистов в команду Semiconductors, которая разрабатывает собственные IP и SoC на базе RISC-V: от архитектуры до системного уровня. Для нас UVM не просто формальность, а инструмент контроля сложных аппаратных систем.

📀 Чем предстоит заниматься:
• Полный цикл планирования и стратегии верификации IP/SoC;
• Создание и поддержка автоматизированных тестовых окружений на UVM;
• Разработка тестов и сценариев для функционального тестирования;
• Локализация и анализ ошибок на всех уровнях (от блока до системы).

Технологии: Verilog/SystemVerilog, опыт работы с RTL-симуляторами, Linux, UVM, AMBA-интерфейсы, python/tcl.

Уровень: Junior / Middle / Senior (от 2 лет).

💻 У нас:
• Удалённая работа (РФ/РБ) или офис в городах присутствия — Москве, Санкт-Петербурге, Нижнем Новгороде, Екатеринбурге, Минске.
• Амбициозные проекты в уникальной инженерной команде.
• Реальный карьерный рост: как вертикальный, так и горизонтальный.
• ДМС с первого дня, поддержка спортивных инициатив сотрудников и другие бенефиты.

⚙️ Как проходит SPRINT OFFER:
1️⃣ Подайте заявку до 22 февраля и пройдите HR-скрининг.
2️⃣ Пройдите техническое и менеджерское интервью.
3️⃣ Получите оффер в течение 3 дней.

💙 Отправляйте заявку до 22 февраля и станьте частью команды YADRO, которая создаёт технологии будущего!

Читать полностью…

🇷🇺 Производство материалов. Россия

Томский ИХТЦ запустил производство сверхчистого трибромида бора и готовит первые поставки

В феврале 2026 года Инжиниринговый химико-технологический центр (ИХТЦ) на базе Томского госуниверситета объявил о завершении проекта и запуске полного цикла производства трибромида бора высокой чистоты марки 6N5. Первые промышленные поставки запланированы на 2026 год.

Проект выполнен по заказу Минпромторга России и стал первым завершённым в масштабной программе импортозамещения шести критических химических веществ для микроэлектроники (общий бюджет под эти разработки - 1,9 млрд рублей).

🎓 Что такое трибромид бора 6N5?

Трибромид бора (BBr₃) — ключевой реагент для легирования полупроводников в микроэлектронике. Обозначение «6N5» указывает на степень чистоты 99,99995%, что соответствует содержанию примесей не более 5 частей на миллион (0,5 ppm) и является мировым стандартом для передовых технологических процессов.

🎓 Где применяется?

В первую очередь - в производстве полупроводников: плазмохимическое и реактивное ионное травление, осаждение тонких плёнок, легирование кремниевых пластин. Также востребован в оптоэлектронике, фотонике, органическом синтезе и создании специальных материалов.

🔹 Участники проекта

▫️ Томск (ИХТЦ ТГУ) — головной разработчик, организация полного цикла производства;

▫️ Новосибирск (Институт неорганической химии СО РАН) — методики аналитического контроля и стандарты качества;

▫️ Нижний Новгород (ООО «НПИ») — технологические решения и инжиниринг.

🔹 Производственные параметры

Мощность установки: 24 кг в год, что соответствует потребностям опытного и мелкосерийного производства микроэлектронных компонентов. Продукт будет поставляться в формате, интегрированном в технологические линии заказчиков: кварцевые ампулы различного объёма и специальные ёмкости-барботеры, исключающие контакт вещества с атмосферой. Для использования в крупносерийном производстве процесс нужно будет масштабировать, что не является простой задачей.

Руководитель проекта в ИХТЦ Ася Водянкина:

«Нашей задачей было не просто наладить синтез вещества, а построить завершённый технологический цикл, включая систему контроля качества на каждом этапе. Это необходимо для обеспечения стабильных характеристик материала, что критически важно для микроэлектроники».

Директор ИХТЦ Алексей Князев:

«Мы ориентировались на потребности отечественных предприятий. Их ключевым требованием было не просто импортозамещение, а получение материала гарантированного качества по конкурентной цене. Этот критерий стал для нас основным, и в ходе реализации проекта он был достигнут».

📌 Значимость проекта в плане импортзамещения

Основные поставки трибромида бора в Россию на фоне отсутствия собственного производства осуществлялись из Китая, Германии и США, а также от American Elements, Albemarle, Solvay и Mitsubishi.

Проект решает задачи обеспечения технологической независимости и укрепления российских компетенций в области высокочистого химического синтеза.

🔹 Перспективы и планы

ИХТЦ уже формирует портфель заказов от промышленных потребителей. Вероятно понадобится:

- масштабировать технологические процессы при сохранении чистоты 6N5;

- сертифицировать продукцию на соответствие отраслевым стандартам, впрочем, российская специфика (от которой хотелось бы когда-нибудь уйти) - проверять все самостоятельно на производстве.

@RUSmicro

Читать полностью…

🇮🇳 Разработка микросхем. Индия

Qualcomm завершила разработку (tape-out) 2-нм чипа в Индии

Работы проводились в инженерных центрах Qualcomm в Бангалоре, Ченнаи и Хайдарабаде, что указывает на растущую роль индийских команд разработчиков в разработке чипов следующего поколения.

Хотя 2-нм чип не будет производиться внутри страны, это достижение отражает прогресс Индии в освоении сложных этапов проектирования полупроводников в условиях, когда правительство активизирует свои усилия в рамках Индийской полупроводниковой миссии (ISM) 2.0.

Qualcomm – не единственная компания, «накачивающая» Индию технологиями. Тайваньский производитель чипов MediaTek выразил заинтересованность в будущем производстве чипов в Индии. «Мы открыты для производства чипов в Индии», — цитирует издание слова Анку Джайна, управляющего директора MediaTek India.

К декабрю 2025 года правительство Индии одобрило 10 полупроводниковых проектов в шести штатах, общая сумма инвестиций которых оценивается примерно в 1,6 триллиона рупий. Ключевые проекты включают сборочный и испытательный центр Micron в Гуджарате, инициативы по производству и упаковке, возглавляемые Tata Electronics в Гуджарате и Ассаме, а также совместный проект с участием CG Power, Renesas и STARS Microelectronics.

В Индии действует программа ISM 2.0 (2026-2027 годы). ISM 2.0 направлен на расширение этой базы, уделяя больше внимания оборудованию, материалам и полномасштабному проектированию микросхем. Дорожная карта также определяет долгосрочные цели для передовых производственных узлов, таких как 3 нм и 2 нм, при этом правительство намерено обеспечить 70–75% внутреннего спроса на микросхемы в Индии к 2029 году.

Важно отметить, что в рамках ISM 2.0 внимание обращается не только, например, на производстве чипов, но и на выстраивании всей цепочки создания стоимости: оборудование, материалы, интеллектуальная собственность, исследования, рабочая сила.

Стратегическая задача - вывести Индию из статуса крупного потребителя полупроводников в статус значимого мирового производителя и лидера в области проектирования в течение следующего десятилетия.

@RUSmicro

Читать полностью…